QMV170AQ1 时间：2025/7/18 11:06:39 阅读：3

QMV170AQ1是一款由Vishay Semiconductors制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于高效率电源转换应用。该器件采用100%雪崩测试，确保在高能脉冲条件下的可靠性。QMV170AQ1广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备中。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：8 A
　　导通电阻（Rds(on)）：17 mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70

特性

QMV170AQ1采用Vishay先进的TrenchFET技术，使其在低电压应用中具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其17 mΩ的Rds(on)使得在8 A连续漏极电流下，导通损耗非常小，有利于提高整体系统的热性能。
　　该器件的栅极氧化层设计确保了在±12 V栅源电压下的稳定工作，同时具备良好的抗静电能力。其100%经过雪崩测试的特性使其在承受高能脉冲时具有更高的可靠性，适用于需要高耐用性的应用场合。
　　QMV170AQ1的PowerPAK SC-70封装提供了优异的热管理性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下的稳定运行。这种封装形式也便于在高密度PCB设计中进行布局，节省空间。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够支持高频操作，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等需要快速响应的应用场景。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也使其能够在极端环境条件下稳定工作。