时间：2025/7/10 18:17:24
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CBR08C120G1GAC 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基二极管，专为高频、高效率和高温应用而设计。该器件采用先进的 SiC 材料制造工艺，具备低正向压降和快速恢复特性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
CBR08C120G1GAC 的封装形式通常为表面贴装型（SMD），具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的设计中使用。
额定电压：1200V
额定电流：8A
正向压降（典型值）：1.3V
反向恢复时间：小于50ns
工作温度范围：-55℃至175℃
热阻（结到壳）：2°C/W
封装类型：TO-247-2L
CBR08C120G1GAC 具有以下显著特性：
1. 基于碳化硅材料，提供优异的耐高压能力和高温稳定性。
2. 极低的正向压降，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速反向恢复时间，使得其非常适合高频开关应用。
4. 高温工作能力，可承受高达175℃的工作环境温度。
5. 紧凑的封装设计，易于集成到现代电子设备中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
CBR08C120G1GAC 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的整流和箝位电路。
2. 新能源领域，例如太阳能逆变器和风能转换系统。
3. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器和电机驱动器。
4. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器和电源模块。
5. 高频电力电子设备中的功率因数校正（PFC）电路。
CBR08C120G1GA, CBR10C120G1GAC, STTH1R2H120CA
