MC2845-T111-1是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率电子设备中。其封装形式紧凑,适合高密度电路板设计。
型号:MC2845-T111-1
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值)
总功耗(Ptot):120W
工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
MC2845-T111-1具备卓越的电气性能,主要特点包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗。
2. 快速的开关速度,有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
3. 内置的热关断保护功能,防止过热损坏。
4. 高雪崩击穿能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 紧凑型封装设计,节省了PCB空间,同时便于散热管理。
这些特性使得MC2845-T111-1非常适合用于要求高效率和高可靠性的应用环境。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
由于其出色的性能,MC2845-T111-1成为许多工业和消费类电子产品设计的理想选择。
IRFZ44N
STP28NF06
FDP2800N06S