类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：最大100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：典型值为110至800（具体取决于电流和电压条件）
　　过渡频率（fT）：250MHz（最小值）

MBT5087晶体管的主要特性之一是其优异的电流增益（hFE），这使得它能够在低电流条件下实现高效的信号放大。此外，该晶体管的过渡频率（fT）高达250MHz，适合用于中高频的放大电路。MBT5087还具有较低的饱和压降，使其在开关应用中表现良好，减少功率损耗。由于其TO-92封装形式，MBT5087具备良好的热稳定性和机械强度，适用于各种电子设备的设计和制造。
　　另一个重要特性是其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C），这意味着MBT5087能够在恶劣的环境条件下正常工作，例如在工业控制系统或汽车电子设备中。此外，MBT5087的功耗为300mW，能够在不使用散热片的情况下满足大多数应用需求。这种晶体管还具有较高的可靠性，适合长期运行的应用场景。

MBT5087晶体管广泛应用于电子电路中，特别是在需要中功率放大的场合。例如，在音频放大器电路中，MBT5087可以作为前置放大器级，用于提升输入信号的幅度。此外，它还常用于射频（RF）放大器中，因其高频特性适合处理无线通信信号。MBT5087也广泛用于数字电路中的开关控制，例如驱动LED、继电器或其他小型负载。在工业自动化系统中，MBT5087可用于控制传感器或执行器的信号通断。此外，它还可以作为逻辑门电路的一部分，用于实现数字信号的处理和传输。在消费电子设备中，如收音机、遥控器和电子玩具中，MBT5087常被用作信号放大或开关元件。

BC547, 2N3904, PN2222