FHD882P 时间：2025/12/28 0:30:07 阅读：14

FHD882P是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOSS）生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低功耗应用设计，适用于负载开关、电源管理单元以及电池供电设备中的开关控制。FHD882P具有低导通电阻（RDS(on)），能够在低电压下实现高效的电流传输，从而减少功率损耗并提高系统整体能效。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型化表面贴装封装，适合空间受限的便携式电子产品。该MOSFET支持逻辑电平驱动，可直接由常见的3.3V或5V微控制器GPIO引脚控制，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度。
　　FHD882P在设计上优化了栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用中的性能表现。同时，该器件具备良好的热稳定性与可靠性，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）均可稳定工作。由于其优异的电气特性和紧凑的封装尺寸，FHD882P广泛应用于智能手机、平板电脑、无线耳机、可穿戴设备以及其他对体积和功耗敏感的消费类电子产品中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品的绿色制造要求。

参数

型号：FHD882P
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：44mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：65mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -1.8V：95mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：420pF
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　最大功耗（PD）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

FHD882P采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种深沟槽结构显著降低了器件的导通电阻，同时提升了单位面积下的电流承载能力。该MOSFET在低栅极驱动电压下仍能保持优异的导通性能，例如在VGS = -1.8V时，RDS(on)仅为95mΩ，这使得它非常适合用于由低压逻辑信号直接驱动的应用场景，如MCU控制的电源开关或电池管理系统。其低阈值电压特性确保了即使在电源电压波动的情况下也能可靠开启，增强了系统的鲁棒性。
　　该器件的封装为SOT-23，这是一种三引脚的小型表面贴装封装，占地面积小，高度低，非常适合高密度PCB布局。尽管封装尺寸微小，但其热性能经过优化，能够在有限的散热条件下承受一定的功率耗散，配合合理的PCB铜箔设计可进一步提升散热效率。FHD882P的输入电容和输出电容较低，分别为420pF和140pF，这意味着在开关过程中所需的充电能量较少，有助于降低动态功耗，并提升开关速度，适用于需要频繁启停的电源管理任务。
　　在可靠性方面，FHD882P通过了严格的生产测试和质量控制流程，具备高抗浪涌能力和良好的ESD防护性能。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级和消费级双重应用场景。此外，该器件无铅、符合RoHS指令，并且属于无卤素产品，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。对于追求高性能与小型化的终端产品而言，FHD882P提供了一个理想的P沟道MOSFET解决方案。

应用

FHD882P主要应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载控制模块。例如，在智能手机和平板电脑中，常被用作电池与系统主电源之间的通断控制开关，实现待机状态下切断非必要电路以节省电量。在可穿戴设备如智能手表或无线耳机中，该器件可用于分时供电管理，按需激活不同功能模块，延长续航时间。此外，它也适用于USB接口的过流保护和热插拔控制电路，防止因短路或异常连接导致的系统损坏。
　　在嵌入式系统和物联网节点中，FHD882P可用于微控制器对传感器、显示屏或其他外设的电源使能控制，实现精细化的功耗管理策略。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由3.3V或更低电压的数字信号控制，避免了使用额外的电平转换或驱动芯片，从而降低了物料成本和设计复杂度。在电池供电的医疗设备、智能家居传感器等长期运行的低功耗系统中，FHD882P凭借其低静态损耗和高可靠性，成为理想的开关元件选择。此外，该器件也可用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关配置，尤其是在低电压输入的降压拓扑中表现出色。