类型：光电耦合器（光耦）
　　输入侧LED类型：GaAs红外发光二极管
　　输出侧晶体管类型：NPN硅晶体管
　　最大正向电流（IF）：60mA
　　最大反向电压（VR）：3V
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大功耗：100mW
　　工作温度范围：-55°C至+100°C

EL4N25和CT4N25光耦合器的主要特性包括：高电气隔离电压，通常在5000V以上，可有效隔离输入和输出电路，提高系统的安全性和稳定性；采用红外LED和硅晶体管组合，响应速度快，传输效率高；具有良好的线性度和稳定性，适用于模拟信号和数字信号的隔离传输；4引脚封装设计，便于安装和使用，适用于各种标准电路板布局；工作温度范围广，适应性强，适用于工业控制、电源管理、通信设备等多种应用场景。
　　此外，EL4N25和CT4N25在封装工艺和材料选择上有所不同，EL4N25通常采用透明封装，而CT4N25则可能采用不透明封装以增强光隔离效果。两者的电流传输比（CTR）也略有差异，CTR是衡量光耦合器性能的重要参数之一，它表示输入LED电流与输出晶体管电流之间的比率。CTR越高，表示光耦的信号传输效率越好。

EL4N25和CT4N25光耦合器广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要电气隔离的场合。常见的应用包括：在工业控制系统中，用于隔离PLC（可编程逻辑控制器）和外部传感器、执行器之间的信号传输；在电源管理系统中，用于隔离高压侧和低压侧电路，防止高压干扰影响低压电路的稳定性；在通信设备中，用于隔离不同电路之间的信号传输，提高系统的抗干扰能力；在医疗设备中，用于实现患者与设备之间的电气隔离，确保使用安全；在家用电器中，用于隔离控制电路与负载电路，防止电流过载损坏电路；在自动化测试设备中，用于实现高精度信号隔离和传输。

TLP521-4,TLP521-1,PC817,EL817