时间：2025/12/26 19:15:17
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MBRS2045CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的双肖特基势垒二极管，采用SMA封装，适用于高效率的电源整流和续流应用。该器件由两个独立的45V、2A肖特基二极管组成，具有低正向压降和快速开关特性，有助于提高电源转换效率并减少热损耗。MBRS2045CT广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电池充电器以及各种消费类电子设备中。其紧凑的表面贴装封装使其非常适合空间受限的应用场景，同时具备良好的热性能和可靠性。器件符合RoHS环保标准，并通过了相关工业认证，适合在工业控制、通信设备和便携式电子产品中使用。由于其优异的反向漏电流控制和高温工作能力，MBRS2045CT能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。此外，该器件对瞬态电压具有较强的耐受能力，增强了系统整体的鲁棒性。
类型：双肖特基二极管
配置：双独立二极管
最大重复反向电压（VRRM）：45V
平均整流电流（IO）：2A（每元件）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半波）
最大直流阻断电压（VR）：45V
最大正向压降（VF）：0.5V（在1A, 25°C时典型值）
最大反向漏电流（IR）：0.5mA（在45V, 25°C时典型值）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
封装形式：SMA（DO-214AC）
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
热阻结至环境（RθJA）：约100°C/W
结电容（CJ）：约75pF（在4V反向偏置下）
MBRS2045CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，而非传统的PN结，从而实现了极低的正向导通压降。在典型工作条件下，当通过1A电流时，其正向压降仅为0.5V左右，显著低于普通硅二极管的0.7V~1.2V水平。这一特性直接降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其在低压大电流输出的DC-DC转换器中效果尤为明显。此外，由于没有少数载流子的积累效应，肖特基二极管具备天然的快速恢复特性，反向恢复时间几乎可以忽略不计，这使得MBRS2045CT在高频开关电路中表现出色，有效减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。
该器件设计为双独立二极管结构，允许用户将其用于全波整流、同步整流或作为两个独立的续流/箝位二极管使用，提升了设计灵活性。其SMA封装具有较小的物理尺寸（约4.3mm x 2.4mm x 1.5mm），便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。MBRS2045CT支持高达2A的持续整流电流（每单元），并在短时间内可承受高达30A的浪涌电流，展现出较强的过载能力。器件的工作结温范围宽达-65°C至+125°C，确保其在极端环境温度下仍能可靠运行。反向漏电流经过优化，在高温条件下仍保持较低水平，避免因漏电增加而导致的功耗上升问题。此外，该器件具备良好的抗静电能力和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。
MBRS2045CT因其高效的整流性能和紧凑的封装，被广泛应用于多种电源管理场景。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于次级侧整流环节，特别是在低电压输出（如3.3V、5V、12V）的反激式或正激式拓扑中，能够显著提升转换效率。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可作为续流二极管使用，配合MOSFET实现高效能量回馈。此外，它也适用于便携式设备中的电池充电电路，用于防止电池反向放电并提供路径控制。在逆变器和UPS系统中，MBRS2045CT可用于电压箝位和能量回收回路，保护主开关器件免受电压尖峰冲击。消费类电子产品如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源等也大量采用此类肖特基二极管以满足能效和体积要求。工业控制领域中，PLC模块、传感器供电单元和电机驱动电路同样受益于其快速响应和低损耗特性。此外，该器件还可用于太阳能充电控制器、汽车电子附件电源模块以及电信设备的板级电源管理单元。其表面贴装特性使其兼容现代自动化装配工艺，适合大规模生产。
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"SB240",
"MBR240CT",
"MBR2545CT",
"SS24",
"DSK26",
"MBRS240CT"
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