DMG302PU-7 时间：2025/12/26 9:16:04 阅读：13

DMG302PU-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件封装在SOT-23小尺寸表面贴装封装中，非常适合空间受限的便携式电子设备应用。DMG302PU-7广泛用于电源管理、负载开关、电机驱动以及信号切换等场合，具备良好的热稳定性和可靠性。其低阈值电压特性使其能够兼容逻辑电平控制信号，适合直接由微控制器或数字逻辑电路驱动。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品的设计需求。由于其高性能与小型化设计，DMG302PU-7成为许多低功率开关应用中的理想选择。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A
　　脉冲漏极电流（Idm）：16.4A
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻Rds(on)：35mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻Rds(on)：47mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压Vgs(th)：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容Ciss：380pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间trr：18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

特性

DMG302PU-7采用先进的沟槽型MOSFET工艺，能够在小封装下实现优异的电气性能。其最大漏源电压为20V，适用于低电压电源系统，如3.3V或5V供电环境下的开关控制。该器件的典型导通电阻仅为35mΩ（在Vgs=4.5V时），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如2.5V）下，仍能保持较低的Rds(on)，确保与逻辑电平输出接口的良好兼容性，尤其适合由微处理器GPIO直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET的阈值电压范围为0.6V至1.2V，意味着它可以在较低的控制信号电压下开启，进一步增强了其在电池供电设备中的适用性。输入电容仅为380pF，在高频开关应用中有助于减少驱动功耗和开关延迟。同时，其快速的开关响应能力使得DMG302PU-7可用于DC-DC转换器、同步整流和高速负载开关等对动态响应要求较高的电路中。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备良好的散热性能，结合芯片本身的低热阻特性，可在有限的空间内实现高效的热量传导。器件的工作结温可达+150°C，保证了在严苛环境下的长期可靠运行。此外，DMG302PU-7通过了AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
　　该MOSFET还具备优良的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=18ns），可在某些非理想关断条件下提供一定的续流路径，但建议在关键应用中额外并联肖特基二极管以优化性能。总体而言，DMG302PU-7是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统的功率控制需求。