类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-882
　　标称齐纳电压：6.8V
　　齐纳测试电流：5mA
　　最大齐纳电流：50mA
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

MM1Z6V8BW 采用先进的SMD封装技术，具有优异的热稳定性和电气性能。其SOD-882封装体积小巧，适合在高密度PCB布局中使用。齐纳电压在额定测试电流下保持稳定，并且具有良好的温度系数，确保在不同工作条件下电压参考的准确性。
　　该器件的最大耗散功率为200mW，允许在小电流范围内进行有效的电压调节。其最大齐纳电流为50mA，适用于低功耗电路中的稳压和保护功能。此外，MM1Z6V8BW 的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于各种工业和消费类电子应用。
　　该齐纳二极管具备良好的响应时间和较低的动态电阻，使其在负载变化时仍能维持输出电压的稳定性。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。

MM1Z6V8BW 主要用于需要稳定参考电压或电压限制的电路中，例如电源管理电路、电压检测电路、电池供电设备、嵌入式系统以及各类模拟和数字电路中的稳压保护。
　　在电源管理方面，它可以作为基准电压源用于比较器、电压调节器或ADC参考电压。在电池供电设备中，MM1Z6V8BW 可以用于监测电池电压，防止过放电，或者作为低功耗电压参考使用。
　　在工业控制系统中，该器件常用于传感器信号调理、电压钳位保护以及接口电路中的稳压。由于其响应速度快和封装小巧，也广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电压调节和保护电路。

MM1Z6V8, 1N4735A, BZX84C6V8, MMSZ5235B