时间：2025/9/15 1:54:32
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PSMN0R7-25YLDX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛用于电源管理和功率转换系统中，能够提供优异的热稳定性和可靠性。PSMN0R7-25YLDX 采用双 N 沟道 MOSFET 设计，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：25V
漏极电流 Id：20A（连续）
导通电阻 Rds(on)：0.7mΩ（最大值）
栅极电压 Vgs：±12V
功率耗散：10W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56
PSMN0R7-25YLDX 采用先进的 Trench 技术，使其在低压功率应用中具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了功率损耗，提高了系统效率。其双 N 沟道 MOSFET 设计使其非常适合用于同步整流拓扑，如在 DC-DC 转换器中作为高侧和低侧开关。此外，该器件具备优异的热性能，得益于其 LFPAK56 封装设计，该封装提供了良好的散热性能和高电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该器件的栅极氧化层经过优化设计，支持高达 ±12V 的栅极电压，提高了驱动能力和开关稳定性。同时，PSMN0R7-25YLDX 在工作温度范围内表现出良好的温度稳定性，确保在高温环境下仍能保持低导通电阻和可靠运行。其高雪崩能量耐受能力也增强了在高应力应用中的可靠性，如电机驱动和负载开关应用。
另外，PSMN0R7-25YLDX 采用无铅封装，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。
PSMN0R7-25YLDX 广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块、工业自动化设备以及高性能电源适配器。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源设计的理想选择，尤其是在空间受限但需要高效散热的场合，如笔记本电脑、服务器电源和电信设备。
PSMN0R9-25YLDX, PSMN1R2-25YLDX, PSMN0R7-25YLH
