型号：MBRB2535CT
　　制造商：ON Semiconductor
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：35V
　　最大直流阻断电压（VR）：35V
　　最大平均整流电流（IO）：25A（每芯片）
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：100A（@8.3ms, 半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.54V @ 12.5A, Tj=25°C（典型值）；0.62V @ 12.5A, Tj=25°C（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 35V, Tj=25°C；50mA @ 35V, Tj=125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.2°C/W
　　封装形式：TO-220AB

MBRB2535CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属与半导体之间的势垒形成整流效应，而非传统PN结，因此具有非常低的正向导通压降。在典型工作条件下，当通过12.5A电流时，其正向压降仅为0.54V左右，远低于标准硅二极管的0.7V~1.2V范围。这一特性直接降低了导通过程中的功率损耗（P = VF × IF），对于需要处理大电流的应用来说尤为重要，有助于提升电源转换效率并减少发热。此外，由于肖特基二极管本质上是非少数载流子器件，不存在少子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，通常小于几十纳秒。这使得MBRB2535CT在高频开关环境中表现优异，能够有效抑制反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），从而提升系统可靠性和稳定性。
　　该器件的双共阴极结构使其非常适合用于中心抽头变压器的全波整流电路中，常见于多相Buck转换器或同步整流拓扑中。每个二极管可独立承载高达25A的平均整流电流，并且能够在瞬态过载情况下承受高达100A的峰值电流（半正弦波，8.3ms）。这种高电流能力结合其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C），使MBRB2535CT可在极端环境条件下稳定运行。TO-220AB封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备出色的散热性能，配合散热片使用时可将热量迅速传导至外部环境，防止因局部过热导致器件失效。此外，该器件具有较低的反向漏电流，在室温下不超过0.5mA，即使在高温环境下（125°C）也控制在50mA以内，保证了在待机或轻载状态下的低静态功耗。综合来看，MBRB2535CT凭借其低VF、快恢复、高电流能力和高可靠性，成为现代高效电源设计中的关键元件之一。

MBRB2535CT主要应用于各类需要高效率、大电流整流的电源系统中。最常见的应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在ATX电源、服务器电源和工业电源模块中，用于次级侧整流环节，替代传统的快恢复二极管以提升整体能效。在DC-DC转换器中，特别是在多相降压（Buck）转换器中，该器件可用于同步整流或自由轮转二极管功能，帮助实现更低的电压输出和更高的电流输出能力，满足高性能CPU、GPU及ASIC等处理器的供电需求。通信电源系统也是其重要应用领域之一，如基站电源、光模块供电单元等，这些系统对电源效率和热管理有严格要求，而MBRB2535CT的低正向压降和良好热性能正好契合此类需求。此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、电动工具电源、LED驱动电源以及太阳能微逆变器等设备中，承担能量回馈或续流路径的角色。在汽车电子领域，尽管该器件并非专为汽车级设计，但在部分车载充电器或辅助电源模块中也有应用实例。总之，凡是在35V以下电压等级、需要大电流整流且追求高效率的场合，MBRB2535CT都是一种极具竞争力的选择。

SR2535
　　SS2535
　　MBR2535CT