型号：MBRB10200CT
　　制造商：ON Semiconductor
　　二极管类型：肖特基势垒二极管（双共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
　　最大直流阻断电压（VR）：200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（单个半周期正弦波，60Hz）
　　最大正向压降（VF）：0.89V（在TA=25°C，IF=10A时）
　　最大反向漏电流（IR）：2.0mA（在VR=200V，TA=25°C时）；随温度升高而增加
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约3.0°C/W（典型值）
　　封装形式：TO-220AB
　　引脚数：3
　　极性配置：双共阴极（Common Cathode）
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）

MBRB10200CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了正向导通压降（VF），从而减少了功率损耗并提高了系统整体效率。在典型工作条件下，当通过10A电流时，其正向压降仅为0.89V左右，相较于普通快恢复二极管可降低30%以上的导通损耗。这一特性使其特别适用于大电流、低电压输出的开关电源和DC-DC转换器中作为输出整流元件。
　　该器件为双二极管共阴极结构，两个二极管共享同一个阴极引脚，适合用于全波整流或双路同步整流拓扑，简化了PCB布局设计并节省空间。由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具有极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特点对于高频开关应用至关重要，有助于提升电源系统的开关频率和功率密度。
　　MBRB10200CT采用TO-220AB封装，具有优良的热传导性能，能够将内部产生的热量迅速传递至外部散热器，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。其热阻RθJC约为3.0°C/W，表明每消耗1瓦特功率，结温仅比壳温高出3度，有利于长期可靠运行。此外，该器件具备较高的浪涌电流承受能力（IFSM=150A），可在瞬态过载或启动过程中提供可靠的保护，避免因电流冲击导致损坏。
　　在环境适应性方面，MBRB10200CT支持宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C），可在极端高低温环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等严苛应用场景。同时，产品符合RoHS指令和IEC 61249-2-21的无卤素标准，体现了绿色环保的设计理念。

MBRB10200CT因其高电流承载能力、低正向压降和快速响应特性，被广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为次级侧整流二极管，尤其是在低压大电流输出的AC-DC适配器、服务器电源和电信整流模块中表现出色。由于其共阴极双二极管结构，非常适合用于中心抽头变压器的全波整流电路，能够有效提高电源效率并减少发热。
　　在DC-DC转换器中，特别是同步降压变换器中，MBRB10200CT可用作续流二极管（Freewheeling Diode）或自举二极管，在主开关管关断时提供电流通路，防止电感电流突变造成电压尖峰。虽然现代同步整流技术多采用MOSFET替代肖特基二极管以进一步降低损耗，但在成本敏感或控制复杂度受限的应用中，MBRB10200CT仍是一个高性价比的选择。
　　此外，该器件也常用于逆变器电路中的钳位和保护功能，限制感应电压的反向冲击，保护主开关器件免受过压损害。在太阳能充电控制器、UPS不间断电源和电机驱动系统中，它可作为防反接二极管或回馈能量泄放路径，确保系统的安全与稳定。
　　由于其坚固的TO-220封装和良好的热性能，MBRB10200CT也适用于工业电源、焊接设备、LED驱动电源和电池充电器等高可靠性要求的场合。在这些应用中，器件需要长时间连续工作于高温和高湿环境中，因此其稳定的电气参数和抗老化能力显得尤为重要。

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