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KMG350VB2R2M8X11LL 发布时间 时间:2025/9/10 8:07:42 查看 阅读:8

KMG350VB2R2M8X11LL 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率模块,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块系列。该模块设计用于高功率应用,例如工业电机驱动、变频器和可再生能源系统等。该模块集成了IGBT芯片和快速恢复二极管(FRD),采用模块化封装设计,具备良好的热性能和电气绝缘性能。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):350A
  短路耐受电流:750A(10μs)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装形式:双列直插式封装(DIP)
  内部配置:半桥拓扑(H-Bridge)
  导通压降(VCE_sat):约2.2V(典型值)
  热阻(Rth):约0.11K/W
  隔离电压:约2500Vrms/分
  工作频率:最高可达20kHz

特性

KMG350VB2R2M8X11LL 具备多项高性能特性,适用于高功率、高效率的电力电子系统。其主要特性包括:
  1. 高额定电压与电流能力:该模块具备1200V的额定集电极-发射极电压和350A的额定集电极电流,能够满足高功率应用场景的需求。同时,其短路耐受能力高达750A,可提供良好的过载保护。
  2. 低导通压降与高效率:该模块的IGBT芯片采用了先进的技术,具有较低的导通压降(约2.2V),有助于降低导通损耗,提高整体系统的能效。
  3. 集成化设计:该模块集成了IGBT和快速恢复二极管,简化了外部电路设计,提高了系统可靠性,并减少了PCB布线的复杂性。
  4. 优异的热管理性能:该模块的热阻约为0.11K/W,具有良好的散热能力,可在高温环境下稳定运行。同时,其工作温度范围为-40°C至+150°C,适应各种恶劣的工作条件。
  5. 高绝缘性能:该模块采用了高绝缘等级的封装材料,具备高达2500Vrms/分的隔离电压,确保系统的安全性和稳定性。
  6. 高频操作能力:支持高达20kHz的工作频率,适用于高频开关应用,如变频器和电机控制。
  7. 封装结构坚固:采用双列直插式封装(DIP),具备良好的机械强度和电气连接可靠性,适用于工业级应用环境。

应用

KMG350VB2R2M8X11LL 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括:
  1. 工业电机驱动:用于高性能电机控制,如伺服驱动器、变频器等,提供高效、稳定的功率输出。
  2. 可再生能源系统:如光伏逆变器和风力发电变流器,该模块能够处理高电压和大电流,满足新能源系统的功率转换需求。
  3. 电动汽车充电设备:适用于大功率充电桩,提供高效的电能转换和稳定的输出性能。
  4. 工业自动化设备:用于自动化生产线中的电机控制和电源管理,提高设备的运行效率和稳定性。
  5. 电力储能系统:用于电池储能系统的充放电控制,确保系统的安全性和高效性。
  6. 电焊机和切割设备:适用于高功率电焊机和切割设备,提供稳定的电能输出和良好的热管理性能。

替代型号

Toshiba KMG450VB2R2M8X11LL; Fuji Electric 4MBI350VB120R-050; Infineon FS350R12KE3; Mitsubishi CM350DY-24A

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KMG350VB2R2M8X11LL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列KMG
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 电容2.2 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定350 V
  • ESR(等效串联电阻)180.818 欧姆 @ 120Hz
  • 不同温度时使用寿命105°C 时为 1000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流26 mA @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流65 mA @ 100 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距0.138"(3.50mm)
  • 大小 / 尺寸0.315" 直径(8.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.453"(11.50mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can