SF1004FCT 时间：2025/8/28 13:34:00 阅读：4

SF1004FCT 是一款由 Sensitron Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效率功率控制的应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-236（SOT-23 兼容）

特性

SF1004FCT 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗，提高系统效率。
　　该 MOSFET 还具有较高的开关速度，使其在高频开关应用中表现优异，如 DC-DC 转换器和同步整流器。此外，SF1004FCT 的封装设计有助于提高热管理和空间利用率，适用于紧凑型设计。
　　另一个显著特点是其出色的稳定性和耐用性，能够在较宽的温度范围内可靠工作，确保在极端环境下的性能稳定。
　　由于其栅极驱动电压范围较宽（通常可在 4.5V 至 20V 之间工作），该器件兼容多种驱动电路设计，包括使用低压控制器的系统，这使得 SF1004FCT 在设计灵活性方面具有优势。
　　此外，SF1004FCT 还具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态条件下提供更高的安全性和可靠性。

应用

SF1004FCT 主要用于各类电源管理电路中，例如在 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器，以提高转换效率。
　　它也常用于负载开关电路中，用于控制电池供电设备的电源通断，从而延长电池寿命并减少待机功耗。
　　在电池管理系统（BMS）中，SF1004FCT 可用于实现充放电路径的高效控制，确保电池组的安全运行。
　　此外，该 MOSFET 适用于电机控制、LED 照明调光、电源排序以及各种消费类电子设备中的功率控制应用。
　　在工业自动化和汽车电子领域，SF1004FCT 可用于驱动继电器、传感器和执行器等高功率负载，确保系统在严苛环境下的稳定运行。