型号：2SK3526-01S-TE24R
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：18A（在TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　功耗（PD）：1.5W（在TA=25°C）
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.5mΩ（在VGS=10V时）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：2900pF（在VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：1000pF
　　反向传输电容（Crss）：240pF
　　栅极电荷（Qg）：40nC（在VDS=15V, ID=9A, VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SS-Mini（双侧散热）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

2SK3526-01S-TE24R具有出色的电气特性和热稳定性，能够在高频开关条件下保持高效运行。其低导通电阻RDS(on)仅为6.5mΩ（在VGS=10V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景。这种低RDS(on)特性得益于东芝先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，使得载流子迁移更加顺畅，从而提升了器件的整体效率。器件的栅极电荷Qg为40nC，在同类产品中处于较低水平，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于提高系统的开关速度并减少驱动损耗，特别适合用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。
　　该MOSFET具备良好的热性能，采用双侧散热SS-Mini封装，能够通过PCB和上方散热路径同时进行热量传导，有效降低热阻，提升散热效率。即使在高负载条件下，也能维持较低的工作温度，延长使用寿命并增强系统可靠性。其输入电容Ciss为2900pF，输出电容Coss为1000pF，反向传输电容Crss为240pF，这些电容参数经过优化，有助于减少开关过程中的振荡和电磁干扰（EMI），提升电源系统的稳定性。此外，体二极管的反向恢复时间trr为35ns，属于较快水平，可减少反向恢复损耗，进一步提升转换效率。
　　2SK3526-01S-TE24R还具备较强的抗浪涌能力，脉冲漏极电流可达72A，能够在瞬态过载或启动冲击下保持稳定工作。其阈值电压Vth范围为1.0V至2.5V，确保了与常见逻辑电平驱动信号的良好兼容性，适用于3.3V或5V驱动电路。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其可在严苛环境条件下稳定运行。该器件符合JEDEC标准的可靠性测试要求，具备优良的抗湿性和耐久性，适合工业级和消费类电子产品的长期使用需求。

2SK3526-01S-TE24R广泛应用于多种高性能电源管理系统中，尤其适用于对效率和空间有严格要求的便携式电子设备。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的DC-DC降压变换器，作为同步整流MOSFET使用，能够显著提升电源转换效率并减少发热。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电控制电路，利用其低导通电阻和高电流承载能力实现高效的能量传递。此外，它也常用于服务器和通信设备的多相电压调节模块（VRM），在高频率下提供稳定的电压输出。
　　在LED驱动电源领域，2SK3526-01S-TE24R可用于恒流源的开关控制部分，凭借其快速开关特性和低开关损耗，有助于提高驱动器的整体效能。在电机控制应用中，如无人机、电动工具和小型伺服系统中，该MOSFET可作为H桥电路中的开关元件，实现精确的速度和方向控制。由于其表面贴装封装和小型化设计，非常适合用于空间受限的高密度印刷电路板（PCB）布局，例如超薄电视、可穿戴设备和物联网终端设备。
　　此外，该器件还可用于各类AC-DC适配器和USB PD快充电源中，作为次级侧同步整流管使用，替代传统肖特基二极管以降低压降和功耗。在太阳能充电控制器、移动电源和无线充电发射端电路中，2SK3526-01S-TE24R也能发挥其高效率优势。由于其符合RoHS标准且支持无铅回流焊工艺，因此广泛适用于现代绿色环保电子产品的大规模自动化生产流程。

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