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MBRA160T3G 发布时间 时间:2025/5/24 20:46:19 查看 阅读:3

MBRA160T3G是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的超快恢复整流器,采用TO-252 (DPAK) 封装。这款器件以其高效率和快速恢复特性而闻名,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器以及逆变器等高频应用中。
  该芯片设计旨在减少开关损耗并提高系统效率,其低正向电压降有助于降低功率损耗,同时其快速的反向恢复时间可以显著改善高频下的性能表现。

参数

最大 repetitive peak reverse voltage:60V
  最大 average rectified output current:1.0A
  最大 forward voltage drop @ 1 A:0.78V
  典型 reverse recovery time:35ns
  工作结温范围:-55°C to +150°C
  结至环境热阻:45°C/W

特性

MBRA160T3G具备卓越的电气性能和可靠性,主要特性包括:
  1. 超快恢复时间(typical 35ns),使其非常适合高频应用。
  2. 极低的正向电压降(在1A电流下为0.78V),有效减少了导通损耗。
  3. 高浪涌电流能力,能够承受瞬间大电流冲击,提升了系统的稳定性。
  4. 工作温度范围广(-55°C到+150°C),适用于各种严苛的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

MBRA160T3G广泛应用于多种电力电子领域,具体应用包括:
  1. 开关电源中的整流和箝位电路。
  2. DC-DC转换器中的同步整流电路。
  3. 电机驱动及控制电路。
  4. 太阳能逆变器以及其他高频功率转换设备。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
  由于其高效的能量转换能力和可靠的性能,它成为许多现代电子设备的理想选择。

替代型号

MBR160T3G
  MBRA160CT
  MBR160CT

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MBRA160T3G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)60V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)510mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200µA @ 60V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装SMA
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MBRA160T3GOSDKR