时间：2025/6/13 18:50:19
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V4R7B0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。同时，其优化的封装设计能够有效提升散热性能，从而确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。
该型号为 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效能、低损耗的电力电子系统。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
V4R7B0201C0G500NAT 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，支持高频操作，适合现代电力电子系统的严格要求。
3. 具备出色的热稳定性，通过优化的封装设计实现了更高的散热效能。
4. 强大的抗雪崩能力，能够在过载或异常情况下提供额外的保护。
5. 宽泛的工作温度范围，使其能够在极端环境下保持可靠的运行。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保法规的要求。
V4R7B0201C0G500NAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管使用。
2. DC-DC 转换器中的功率转换级元件。
3. 工业电机驱动系统中的逆变器模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
5. 电动车及混合动力汽车的动力管理系统。
6. 各类需要高效率功率控制的应用场景。
V4R7B0201C0G500NBT, V4R7B0201C0G500NCT
