容量：512GB
　　存储类型：NAND Flash
　　接口类型：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
　　电压：1.8V / 3.3V
　　封装类型：BGA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　读取速度：最大约400MB/s
　　写入速度：最大约300MB/s

H9HP52ADAMADAR-KMM 具备一系列先进的性能和特点，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该芯片采用了高密度存储单元技术，提供了高达512GB的存储容量，满足了现代设备对大容量存储的迫切需求。其次，其接口支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0标准，确保了高速数据传输能力，读取速度最高可达400MB/s，写入速度可达300MB/s左右，极大地提升了系统整体性能。
　　此外，H9HP52ADAMADAR-KMM 在功耗控制方面表现出色，支持多种低功耗模式，适合对电池寿命敏感的移动设备使用。该芯片还具备良好的耐用性和数据保持能力，支持高达3000次以上的编程/擦除周期（P/E cycles），并能够在极端温度条件下稳定工作（-40°C至+85°C），适用于工业级和车载应用环境。

H9HP52ADAMADAR-KMM 主要应用于对存储容量、读写速度和可靠性要求较高的电子设备中。典型应用包括高端智能手机和平板电脑的内部存储扩展、嵌入式系统中的固态硬盘（SSD）模块、企业级和消费级SSD硬盘、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备、医疗设备、安防监控系统等。由于其良好的温度适应性和高可靠性，该芯片也常用于需要长期稳定运行的工业和车载环境中。

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