P6SMBJ160 是一款由多家半导体制造商(如STMicroelectronics、ON Semiconductor等)生产的表面贴装双向瞬态电压抑制二极管(TVS)。该器件专门用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌电压等瞬态电压的损害。P6SMBJ160具有低钳位电压和高浪涌吸收能力,适用于多种工业和消费类电子设备的电路保护。其封装形式为SMB(DO-214AA)表面贴装封装,便于在PCB上安装和焊接。
工作电压:160V
最大反向工作电压(VRWM):160V
击穿电压(VBR):177.8V ~ 197V
最大钳位电压(VC):259V
最大峰值脉冲电流(IPP):8.5A
最大反向漏电流(IR):10μA
响应时间(tRESP):小于1ns
封装类型:SMB(DO-214AA)
极性:双向
功率耗散:600W
P6SMBJ160 TVS二极管采用硅雪崩技术,能够在极短时间内响应瞬态电压事件,迅速将电压钳制在安全范围内,从而保护后级电路免受损坏。其双向结构使其适用于交流和直流电路中的保护应用,广泛用于通信接口、电源输入端口、数据线和控制线的保护。
这款器件具有优异的浪涌吸收能力,可承受IEC 61000-4-2标准中规定的四级静电放电冲击(最高可达±30kV空气放电和±30kV接触放电)。同时,其低钳位电压特性有助于在浪涌事件中将电压限制在设备可承受的范围内,避免损坏敏感的集成电路和微控制器。
P6SMBJ160的SMB封装尺寸紧凑,便于在高密度PCB布局中使用。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化贴片焊接工艺。由于其表面贴装特性,该器件在回流焊过程中表现出良好的可靠性和一致性。
此外,P6SMBJ160的低漏电流特性确保了在正常工作条件下对电路性能的影响最小化。其小于10μA的反向漏电流不会对电源管理或低功耗设计造成显著负担,适用于对功耗敏感的应用场景。
P6SMBJ160常用于各类电子设备中需要进行瞬态电压保护的电路部分。其典型应用包括工业控制设备、电机驱动器、PLC(可编程逻辑控制器)、测量仪器、通信模块(如RS-485、CAN总线)、网络设备(如路由器、交换机)、安防监控系统、医疗设备和智能家电等。
在通信接口方面,该器件可用于保护RS-232、RS-485等串行通信线路免受静电和浪涌的损害。在电源输入端口,P6SMBJ160可以作为第一道防线,吸收来自电源线的瞬态能量,防止其进入系统主电路。在数据线和控制线中,它能够有效抑制由电磁干扰(EMI)或电感负载切换引起的电压尖峰。
此外,P6SMBJ160也广泛应用于电动汽车(EV)充电设备、太阳能逆变器和智能电网设备等新能源领域,为这些高可靠性要求的应用提供可靠的电路保护解决方案。
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