时间：2025/8/14 23:06:32
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MBR850F是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管，广泛应用于需要高效整流和快速开关特性的电路中。该器件采用了先进的肖特基势垒技术，能够在高频率和高温环境下稳定工作，适用于电源管理、转换器和逆变器等应用场景。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
最大平均整流电流（IO）：8A
正向电压降（VF）：典型值0.35V（最大值0.47V）
最大反向漏电流（IR）：在50V时最大为0.5mA
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
封装形式：TO-220AC
MBR850F的肖特基二极管设计使其具有低正向电压降和快速恢复时间的特性，这大大提高了其在高频开关应用中的效率。由于其低导通损耗和高电流能力，该器件能够在电源转换系统中实现更高的能量转换效率。此外，MBR850F的TO-220AC封装形式提供了良好的散热性能，确保了器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。该器件还具有较强的抗浪涌电流能力，能够承受短暂的过载而不损坏。MBR850F的这些特性使其成为电源适配器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用中的理想选择。
MBR850F主要用于电源管理和功率转换系统，例如在开关电源（SMPS）中作为输出整流器，在DC-DC转换器中作为续流二极管，以及在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中用于高效的能量转换。此外，该器件还适用于需要高效能和高可靠性的工业控制系统和消费电子产品。
MBR850, MBR860F
