类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　平均整流电流（IO）：8.0A（每芯片）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向压降（VFM）：典型值0.52V @ 8A, 最大值0.6V @ 8A
　　反向漏电流（IR）：最大2.0mA @ 45V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-277 / DPAK (SMD)

MBR845的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而实现极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复时间。这一特性使得器件在高频开关应用中表现出色，有效减少了开关过程中的能量损耗，提高了电源系统的转换效率。在典型工作条件下，当通过8A电流时，其正向压降仅为0.52V左右，远低于传统硅整流二极管的0.7V~1.2V水平，这意味着在相同电流下，功耗可降低约25%以上，极大地提升了热管理效率。
　　该器件的双二极管共阴极结构特别适用于同步整流拓扑或全波整流电路，在DC-DC降压变换器或隔离式电源次级侧整流中具有显著优势。其高电流承载能力（每芯片8A）结合良好的热传导封装设计，允许在紧凑空间内实现高效功率处理。同时，MBR845具备较强的抗浪涌能力，可承受高达30A的非重复峰值电流，这使其在面对输入电压突变或负载瞬变时仍能保持稳定运行，避免因瞬态过流导致的器件损坏。
　　热稳定性方面，MBR845可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，确保在高温工业环境或低温户外设备中均具备可靠性能。其封装设计优化了散热路径，便于与PCB铜箔或散热器配合使用，进一步提升热耗散能力。此外，器件具有较低的反向漏电流（典型小于1mA），即使在接近最大反向电压工作时也能维持较高的阻断效率，减少静态功耗。综合来看，MBR845在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中低电压大电流整流应用的理想选择。

MBR845广泛应用于各类需要高效、低压降整流功能的电子系统中。常见应用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在12V或24V输入的AC-DC适配器和工业电源模块中；DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）及反激式拓扑结构的次级侧整流部分；用于电池充电管理系统中的防反接和能量回馈路径；太阳能逆变器中的旁路保护电路；以及各类嵌入式电源系统，如通信设备、服务器电源、LED驱动电源和消费类电子产品中的板载电源模块。
　　此外，由于其快速响应特性和低开启电压，MBR845也常被用于电源极性反接保护电路，防止因错误接线导致后级电路损坏。在电机驱动和H桥电路中，它可作为续流二极管使用，吸收感性负载产生的反电动势，保护主开关器件。在便携式设备和高密度电源设计中，其表面贴装封装形式有助于缩小PCB占用面积，提高组装自动化程度。得益于其高可靠性与宽温度工作范围，该器件同样适用于汽车电子系统，如车载充电器、DC-DC转换模块和辅助电源单元，在振动、高温等恶劣环境下依然保持稳定性能。

MBR845CT
　　MBR845W
　　SS845
　　SB845