MBR6200F 时间：2025/8/14 22:50:31 阅读：20

MBR6200F是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的600V、20A的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅技术，具有极低的正向压降和快速恢复时间，适用于高效率、高频开关应用。MBR6200F封装形式为TO-220，便于在各种功率电子设备中使用。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM)：600V
　　最大平均正向电流(IF(AV))：20A
　　峰值正向浪涌电流(IFSM)：300A
　　正向压降(VF)：1.55V（在20A时）
　　反向漏电流(IR)：100μA（在600V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

MBR6200F采用了碳化硅材料，具有卓越的热稳定性和高效率。其正向压降较低，通常在20A电流下仅为1.55V，显著降低了导通损耗。
　　此外，MBR6200F具有零反向恢复时间（Zero Reverse Recovery Time），这使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件的反向漏电流非常低，在600V下仅为100μA，保证了在高温条件下的稳定性。
　　MBR6200F的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，适应各种严苛环境下的运行要求。
　　其TO-220封装结构不仅便于安装和散热，也提高了器件的机械强度和可靠性，适用于工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统等高要求的应用场景。

应用

MBR6200F主要用于高效率功率转换系统，如工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电动汽车充电设备。
　　在这些应用中，该器件可以显著提升系统的能效，降低散热需求，并提高整体系统的可靠性和寿命。
　　由于其高频特性，MBR6200F也适用于需要快速开关的高频整流电路，能够有效减少磁性元件的体积和重量，提高系统功率密度。
　　此外，该器件还可用于电机驱动、电焊机、电池管理系统等需要高可靠性和高效率的电力电子设备中。