MBR6200F是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的600V、20A的碳化硅(SiC)肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅技术,具有极低的正向压降和快速恢复时间,适用于高效率、高频开关应用。MBR6200F封装形式为TO-220,便于在各种功率电子设备中使用。
最大重复峰值反向电压(VRRM):600V
最大平均正向电流(IF(AV)):20A
峰值正向浪涌电流(IFSM):300A
正向压降(VF):1.55V(在20A时)
反向漏电流(IR):100μA(在600V时)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
MBR6200F采用了碳化硅材料,具有卓越的热稳定性和高效率。其正向压降较低,通常在20A电流下仅为1.55V,显著降低了导通损耗。
此外,MBR6200F具有零反向恢复时间(Zero Reverse Recovery Time),这使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
该器件的反向漏电流非常低,在600V下仅为100μA,保证了在高温条件下的稳定性。
MBR6200F的工作温度范围广泛,从-55°C到+175°C,适应各种严苛环境下的运行要求。
其TO-220封装结构不仅便于安装和散热,也提高了器件的机械强度和可靠性,适用于工业电源、逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统等高要求的应用场景。
MBR6200F主要用于高效率功率转换系统,如工业电源、开关电源(SMPS)、逆变器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电动汽车充电设备。
在这些应用中,该器件可以显著提升系统的能效,降低散热需求,并提高整体系统的可靠性和寿命。
由于其高频特性,MBR6200F也适用于需要快速开关的高频整流电路,能够有效减少磁性元件的体积和重量,提高系统功率密度。
此外,该器件还可用于电机驱动、电焊机、电池管理系统等需要高可靠性和高效率的电力电子设备中。
MBR6200FG, MBR6200FCT, MBR6200FW, CREE的C2D020650F等。