时间：2025/7/1 3:48:10
阅读：5
IRF7342TR是英飞凌（Infineon）公司推出的一款双N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件将两个MOSFET集成到一个封装中，适用于需要高效率和小尺寸设计的应用场景。IRF7342TR具有低导通电阻、快速开关速度以及较高的电流承载能力等特性，广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
Vds：60V
Id：11A
Rds(on)：15mΩ（最大值，在Vgs=10V条件下）
Vgs(th)：2.2V（典型值）
f(switching)：1MHz
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C至+150°C
IRF7342TR的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗、出色的热稳定性和电气性能、快速的开关速度有助于降低开关损耗、内置两个N沟道MOSFET简化了电路设计、紧凑的封装形式节省了PCB空间。
此外，该器件具备较低的栅极电荷和输出电容，从而进一步提高了工作效率并减少了电磁干扰。其高可靠性和稳定性使其非常适合于对性能和效率要求较高的应用环境。
IRF7342TR适用于多种电子领域，例如DC-DC转换器、电池保护电路、负载开关、LED驱动器、电机控制电路、便携式设备电源管理等。由于其在高频条件下的高效表现，它也常被用于通信设备、计算机外设以及其他消费类电子产品中的功率转换模块。
其双MOSFET集成结构特别适合桥式电路或需要同步整流的设计，能够显著提高系统的整体效率并降低热损耗。
IRL7342TR, IRF7343TR
