时间：2025/6/22 15:02:51
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MBR3030CT是ON Semiconductor（安森美半导体）公司生产的一款肖特基二极管。该器件采用TO-220封装形式，具有低正向压降和快速恢复时间的特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中，适合高效率、高频应用场合。
MBR3030CT的主要特点是其额定电流为30A，额定电压为30V，并且具备较低的反向漏电流，使其在高温环境下仍能保持良好的性能。
最大正向电流：30A
峰值反向电压：30V
正向压降（典型值@15A）：0.45V
反向漏电流（最大值@25°C）：20mA
工作结温范围：-55°C至+175°C
热阻（结到壳）：1.2°C/W
存储温度范围：-65°C至+150°C
MBR3030CT采用了先进的肖特基势垒技术，具有以下主要特性：
1. 低正向压降，减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速恢复特性，能够适应高频开关应用。
3. 反向漏电流小，在高温条件下表现出色。
4. 高浪涌能力，可承受瞬态大电流冲击。
5. 具有良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
MBR3030CT由于其卓越的电气特性和可靠性，适用于多种工业和消费类电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的整流和续流二极管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的直流-直流转换器。
4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
5. LED照明驱动电路中的整流元件。
6. 通信设备中的电源管理模块。
MBR3030TP
MBR3030T3-G
STPS30H30CW
CSS3030DP
