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IS62WV12816EBLL-45BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:03:07 查看 阅读:7

IS62WV12816EBLL-45BLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片是一款异步SRAM,具有高性能、低功耗和可靠性强等特点。IS62WV12816EBLL-45BLI 的容量为 256Kbit(128K x 16位),适用于需要快速访问和高数据稳定性的应用场合。该芯片采用先进的CMOS技术制造,确保在各种工作条件下都能保持稳定性能。

参数

类型:异步SRAM
  容量:256Kbit (128K x 16)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:45ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:54引脚 TSOP(Thin Small Outline Package)
  数据宽度:16位
  封装尺寸:54-TSOP
  封装引脚数:54
  接口类型:并行
  功耗:最大工作电流约120mA(典型值)
  读取电流:典型120mA
  待机电流:最大10mA
  输入/输出电平:TTL兼容

特性

IS62WV12816EBLL-45BLI 具备多项优异特性,使其在嵌入式系统和工业控制领域中广泛使用。首先,该芯片具有45ns的高速访问时间,能够满足需要快速数据读取和写入的应用需求。其次,其工作电压范围为2.3V至3.6V,使其适用于多种电源管理方案,并增强了与不同系统平台的兼容性。
  该芯片采用CMOS制造工艺,具备低功耗的特点,在工作模式下的典型电流为120mA,待机电流不超过10mA,有助于延长设备的电池寿命。此外,其TTL兼容输入/输出电平,使得与多种控制器和处理器的接口更加简便。
  IS62WV12816EBLL-45BLI 支持异步操作模式,这意味着它可以与各种不依赖固定时钟频率的系统进行无缝集成。该芯片的TSOP封装设计不仅体积小巧,还具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在工业环境或高温条件下运行。
  该SRAM芯片的可靠性极高,具有较长的数据保存时间,且无需刷新操作,确保了数据的稳定性和即时可用性。这种非易失性特性虽然在断电后无法保持数据,但在需要频繁写入和读取的应用中表现出色。

应用

IS62WV12816EBLL-45BLI 主要应用于需要高速数据存储和频繁读写操作的电子系统中。典型应用包括网络设备、工业控制系统、通信设备、汽车电子系统、医疗设备和嵌入式处理器系统等。
  在网络设备中,该芯片可用于缓存数据或临时存储配置信息,以提高设备的响应速度和运行效率。在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)和自动化设备,该SRAM用于高速数据缓冲和实时数据处理。
  在汽车电子系统中,IS62WV12816EBLL-45BLI 可用于车载信息娱乐系统、导航系统和车载诊断模块,提供稳定的数据存储支持。此外,在医疗设备中,例如便携式诊断仪和监控设备,该芯片可确保关键数据的实时处理和存储,提高设备的准确性和响应能力。
  由于其宽温工作范围(-40°C至+85°C),该芯片也适用于户外或极端环境中的应用,例如安防监控设备和智能电表。

替代型号

IS62WV12816EBLL-55BLI, IS62WV12816EBLL-55BLL, CY62167EVLL-45BZ, IDT71V416SA, IS62LV12816-45TLI

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IS62WV12816EBLL-45BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格960 : ¥13.37091托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量2Mb
  • 存储器组织128K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)