时间：2025/7/25 11:49:30
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MBR30200CTE3/TU 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电流双共阴极肖特基势垒整流器，广泛用于电源整流、开关电源和DC/DC转换器中。该器件由两个30A的肖特基二极管组成，采用TO-220封装，适用于高频率和低电压降的应用场景。
类型：肖特基二极管
最大重复峰值反向电压：200V
最大平均正向电流：30A（每管）
正向压降：约0.53V（在30A时）
反向漏电流：最大1.0mA（在200V、25°C时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
MBR30200CTE3/TU 的核心特性包括其高电流承载能力和低正向压降，这使其在高功率应用中表现出色。该器件采用双共阴极结构，使得两个二极管共享一个公共阴极端子，简化了电路设计并减少了PCB空间。此外，MBR30200CTE3/TU具有快速恢复时间，几乎为零，因此非常适合高频开关应用。其高热稳定性与坚固的封装结构相结合，能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。该器件的反向漏电流在高温下仍保持较低水平，从而减少了能量损耗并提高了系统效率。由于其高可靠性和优异的热管理能力，MBR30200CTE3/TU常用于高要求的工业电源和汽车电子系统中。
该器件主要用于开关电源、DC/DC转换器、不间断电源（UPS）、电池充电器、逆变器以及工业控制系统中的整流和续流二极管。由于其高耐压和高电流特性，MBR30200CTE3/TU也适用于太阳能逆变器和电动车电源管理系统。
MBR30200CT, MBRD30200CT
