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MJD350T4G 发布时间 时间:2025/5/8 15:37:13 查看 阅读:3

MJD350T4G是一款NPN型双极性晶体管,广泛应用于开关和放大电路中。它具有较高的电流增益和耐压能力,适合在各种电子设备中使用,如电源管理、电机驱动和信号调节等。该器件采用TO-225AC封装形式,具备良好的散热性能,能够承受较大的功率损耗。
  作为一款成熟的功率晶体管,MJD350T4G在市场上有着广泛的应用,并且凭借其稳定性和可靠性受到工程师们的青睐。

参数

集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):15A
  功率耗散(Ptot):115W
  直流电流增益(hFE):最小值20,典型值70
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  工作结温范围:-65°C 至 +150°C

特性

MJD350T4G具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压,可满足高压应用的需求。
  2. 大电流处理能力,适合高功率场合。
  3. 封装形式为TO-225AC,提供优秀的散热性能。
  4. 稳定的直流电流增益,保证了可靠的开关和放大功能。
  5. 工作温度范围广,适应多种环境条件。
  6. 具备较低的饱和电压,减少能量损失并提高效率。

应用

MJD350T4G适用于以下领域:
  1. 开关电源中的开关元件。
  2. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
  3. 继电器驱动和负载控制。
  4. LED驱动器中的开关或保护元件。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 音频放大器和其他需要大电流放大的场景。

替代型号

MJD350, 2N3055, TIP31C

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MJD350T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)-
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 50mA,10V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD350T4GOSTR