时间：2025/7/10 22:11:15
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QMK212B7102KDHT是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于开关电源、DC-DC转换器以及其他高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高效率和高可靠性要求的场景中表现优异。
这款MOSFET属于N沟道增强型，其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）装配流程。它广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压VDS：60V
最大栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：28A
导通电阻RDS(on)：4.5mΩ（在VGS=10V时）
总功耗PD：315W
结温范围TJ：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252 (DPAK)
工作频率：高达1MHz
1. 极低的导通电阻RDS(on)，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源及DC-DC转换器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 热稳定性好，能够在宽温度范围内保持一致的电气性能。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 表面贴装封装，简化了生产流程并提高了可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
IRFZ44N
STP28NF06L
FDP5800
AO3400
