您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MBR2H100SFT3G

MBR2H100SFT3G 发布时间 时间:2025/5/7 15:47:25 查看 阅读:7

MBR2H100SFT3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基整流二极管。它采用先进的工艺制造,具有低正向电压降和快速恢复时间的特性,适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、极性保护电路以及各种需要高效能整流的应用场景。
  该器件采用了SOD-123FL封装形式,具有小型化和高散热性能的特点,同时其额定电流为2A,峰值反向电压为100V。

参数

最大正向电流:2A
  峰值反向电压:100V
  正向电压降(典型值@2A):0.54V
  反向漏电流(最大值@25℃):20μA
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  热阻(结到环境):260℃/W
  封装类型:SOD-123FL

特性

1. 超低正向压降设计,提高整体效率。
  2. 快速恢复时间,适用于高频开关应用。
  3. 高温性能稳定,支持高达175℃的工作温度。
  4. 小型封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 提供出色的反向漏电流控制,确保在高温下的可靠运行。
  7. 可靠性高,适合工业级及汽车级应用需求。

应用

1. 开关电源中的整流与保护。
  2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  3. 极性保护电路以防止电源接反。
  4. 光伏逆变器中的续流路径。
  5. LED驱动电路中的能量回收。
  6. 汽车电子系统中的负载突降保护。
  7. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

MBR20100T3G, MBR2LS100T3G

MBR2H100SFT3G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MBR2H100SFT3G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MBR2H100SFT3G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)840mV @ 2A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电40µA @ 100V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123FL
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MBR2H100SFT3GOSDKR