时间：2025/5/16 16:44:33
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HGT1S20N36G3VLSR4737 是一款高性能的 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制程工艺，具有较低的导通电阻和较高的效率，适合用于高频率和高功率密度的应用场景。
这款 MOSFET 通常被设计在 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机驱动电路以及负载开关等应用中。其封装形式为行业标准的 TO-220 封装，能够提供良好的散热性能。
型号：HGT1S20N36G3VLSR4737
类型：N 沕道通态 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：36V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
持续漏极电流 (Id)：20A
导通电阻 (Rds(on))：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷 (Qg)：38nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高电流应用场景下降低功耗。
2. 快速开关性能，适合高频开关电源设计。
3. 较高的漏极电流 Id 和漏源电压 Vds，确保了器件在各种条件下的可靠性。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应工业及汽车环境需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 内置静电防护功能，增强抗干扰能力。
7. 高效热管理设计，优化散热性能。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 各种电机驱动和控制电路中的开关元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 工业设备和消费电子产品的电源管理模块混合动力汽车中的辅助功率系统。
7. 光伏逆变器及其他新能源相关设备。
IRFZ44N
FDP15N30
STP20NF36L
