您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SA2016-TD-E

2SA2016-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 8:04:38 查看 阅读:35

2SA2016-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)生产的 PNP 型双极结型晶体管(BJT),广泛用于低频放大和开关应用。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具有良好的电气性能和稳定性,适用于多种电子电路设计。

参数

类型:PNP 双极晶体管
  最大集电极电流(Ic):150 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗(Pd):300 mW
  电流增益(hFE):110 至 800(取决于工作条件)
  频率响应(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-92 或 SOT-23(根据具体版本)

特性

2SA2016-TD-E 是一款性能稳定的 PNP 晶体管,适用于多种低频放大和开关电路应用。其 hFE 值范围较广(110 至 800),可以根据不同的电路需求选择合适的增益等级。该晶体管的最大集电极电流为 150 mA,能够满足中等功率的开关控制需求。此外,它的最大集电极-发射极电压为 50 V,能够在相对较高的电压环境下稳定工作。
  该器件的频率响应达到 100 MHz,使其在音频放大和低频射频应用中表现出色。2SA2016-TD-E 的最大功耗为 300 mW,适合在标准 PCB 设计中使用,无需额外的散热措施即可在常规工作条件下运行。封装形式通常为 TO-92 或 SOT-23,适用于通孔或表面贴装工艺,提高了其在不同电路板设计中的适应性。
  该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,具备良好的热稳定性和环境适应性。因此,2SA2016-TD-E 不仅适用于消费类电子产品,也能在工业控制和汽车电子系统中可靠运行。

应用

2SA2016-TD-E 主要用于低频放大器、音频放大电路、开关控制电路以及各类模拟电路设计。它常用于音频放大器的前置放大级,以提供稳定的增益和良好的线性度。此外,该晶体管也可用于数字电路中的开关元件,控制继电器、LED 显示屏和其他外围设备。在工业自动化系统中,2SA2016-TD-E 可作为传感器信号放大器或驱动器使用。由于其良好的温度特性和稳定性,该晶体管也适用于汽车电子系统中的控制电路和电源管理模块。

替代型号

2SA1015, 2SA1943

2SA2016-TD-E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2SA2016-TD-E资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

2SA2016-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 40mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大3.5W
  • 频率 - 转换330MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)