时间：2025/5/31 2:57:50
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PTW50N20是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点，适合用于各种高频功率转换应用。
这款MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
型号：PTW50N20
封装：TO-220
最大漏源电压Vds：200V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：50A
导通电阻Rds(on)：0.18Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗Ptot：140W
工作温度范围：-55℃至+175℃
PTW50N20的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达200V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻，在Vgs为10V时，Rds(on)仅为0.18Ω，可有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能，能够满足高频开关应用的需求。
4. 大电流承载能力，最大漏极电流高达50A，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 优秀的热性能，采用TO-220封装，便于散热设计。
6. 宽工作温度范围，从-55℃到+175℃，适应各种极端环境。
PTW50N20适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类逆变器和功率变换模块。
5. 过流保护和电子负载开关。
6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRF540N
STP50NF20
FDP50N20E
