PTW50N20是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点,适合用于各种高频功率转换应用。
这款MOSFET采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
型号:PTW50N20
封装:TO-220
最大漏源电压Vds:200V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大漏极电流Id:50A
导通电阻Rds(on):0.18Ω(典型值,Vgs=10V)
总功耗Ptot:140W
工作温度范围:-55℃至+175℃
PTW50N20的主要特性包括:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达200V,适用于高压环境。
2. 低导通电阻,在Vgs为10V时,Rds(on)仅为0.18Ω,可有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能,能够满足高频开关应用的需求。
4. 大电流承载能力,最大漏极电流高达50A,确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 优秀的热性能,采用TO-220封装,便于散热设计。
6. 宽工作温度范围,从-55℃到+175℃,适应各种极端环境。
PTW50N20适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类逆变器和功率变换模块。
5. 过流保护和电子负载开关。
6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRF540N
STP50NF20
FDP50N20E