KTK136O 时间：2025/9/11 19:38:38 阅读：14

KTK136O 是一款由韩国制造商 KEC（Korea Electronics Corporation）推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高电流和高效率的功率开关应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能。KTK136O 通常采用 TO-220 或 TO-263（D2PAK）封装形式，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用领域。该 MOSFET具备较高的耐压能力和较大的连续漏极电流能力，使其在中高功率应用中表现出色。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：约 2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263

特性

KTK136O 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率。该器件在 Vgs=10V 时，Rds(on) 典型值为 2.5mΩ，能够有效支持大电流通过。此外，KTK136O 具有高耐压能力（Vds=60V），适用于多种中压功率转换应用。
　　另一个显著特点是其高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 80A，使其适用于需要高功率密度的设计，如电源供应器、DC-DC 转换器和电机驱动电路。此外，该器件的封装设计（如 TO-220 或 TO-263）具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定工作温度。
　　KTK136O 还具备较强的耐用性和可靠性，适用于工业控制、电源管理系统以及电池供电设备等应用场景。其±20V的栅极电压耐受能力也提升了在高噪声或瞬态电压环境下的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计难度。
　　此外，KTK136O 的热阻较低，有助于在高温环境下维持性能稳定，并具备良好的短时过载承受能力，适用于需要高可靠性的应用场景。

应用

KTK136O 广泛应用于各类功率电子系统中，特别是在需要高电流能力和低导通损耗的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC 降压或升压转换器、负载开关、马达控制器、电池管理系统（BMS）、逆变器、电源供应器（SMPS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，由于其高可靠性和耐久性，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动工具等应用。