时间：2025/5/16 14:48:33
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DMP58D1LV 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（N-Channel MOSFET），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用小型化的封装设计，适合空间受限的应用环境，同时具备出色的电气性能和可靠性。
该 MOSFET 的主要特点是其较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，其高雪崩击穿能力和快速开关速度使其非常适合于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：34A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ (在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot)：78W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263
DMP58D1LV 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保了高效率的功率传输和最小的热损耗。
2. 快速开关性能，支持高频操作，从而优化了整体系统性能。
3. 高额定电流能力，能够承受较大的负载电流而不降低性能。
4. 小型封装设计，节省电路板空间，便于紧凑型设计。
5. 较宽的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
DMP58D1LV 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电机驱动控制，提供高效的功率转换和精确的电流控制。
3. DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。
4. 负载开关，用于实现快速开启和关闭功能。
5. 电池保护电路，防止过流或短路损坏。
6. 各种便携式设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
DMP5045L, IRF540N, FDN337N
