类型：双肖特基整流二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　平均整流电流（IO）：20A（每芯片）
　　正向压降（VF）：典型值0.875V（在20A, Tc=125°C条件下）
　　最大正向压降：1.0V（在20A, Tc=125°C）
　　反向漏电流（IR）：最大2.0mA（在100V, Ta=25°C）；高温下可增至5.0mA（100V, Tc=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.3°C/W
　　封装形式：TO-220AC
　　安装方式：通孔（Through Hole）
　　引脚数：3

MBR20100CTK的核心优势在于其双通道集成设计与出色的电学性能。该器件采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在大电流工作条件下显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。特别是在DC-DC转换器或低压大电流输出的开关电源中，这种低VF特性有助于减少发热，提升能效比。此外，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此它具有近乎零的反向恢复时间（trr），能够有效避免传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电流尖峰和电磁干扰问题，这对于高频操作下的EMI控制至关重要。
　　该器件的TO-220AC封装不仅提供了良好的机械强度，还具备较高的散热能力，通过合理的PCB布局和散热设计，可以支持持续20A的大电流输出。其内部结构为两个阳极共接、阴极为公共端的中心抽头配置，非常适合用于单端或推挽式拓扑中的次级整流电路，简化了变压器绕组设计并减少了外围元件数量。同时，宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）确保了其在恶劣环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　MBR20100CTK还具备优异的抗浪涌能力和可靠性测试认证，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）等可靠性验证，保证了长期使用的稳定性。其无铅且符合RoHS指令的设计也满足现代绿色电子产品的环保要求。总体而言，这款器件结合了高性能、高可靠性与紧凑封装，是中高功率密度电源设计中的理想选择。

MBR20100CTK广泛应用于各类需要高效、高频整流的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是用于服务器电源、电信电源模块和工业电源系统中的次级侧全波整流电路。其低正向压降和高电流承载能力使其在5V、3.3V甚至更低电压的大电流输出场合表现尤为突出，能够显著降低功率损耗并提高转换效率。
　　在DC-DC转换器中，特别是隔离型拓扑如正激、反激、推挽和LLC谐振变换器中，MBR20100CTK常被用作同步整流的替代方案或辅助整流元件，以实现更高的效率和更小的体积。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能微逆变器中的续流与整流功能，凭借其快速响应特性和低损耗优势，有助于提升系统动态响应和能量利用率。
　　其他应用还包括电池充电器、LED驱动电源、电机驱动电路中的箝位保护以及各类消费类电子产品中的适配器和电源模块。由于其具备良好的热稳定性和抗冲击能力，也可用于部分车载电子设备和工业控制设备中，尤其是在对空间和效率有严格要求的设计中展现出明显优势。

MBR20100CT