TSP090SB 时间：2025/8/15 5:28:39 阅读：3

TSP090SB是一款由Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的电源管理应用设计。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适用于电源转换、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用。TSP090SB通常采用表面贴装（SOP）或功率封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：90V
　　漏极电流（Id）：4.8A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Pd）：2.5W（最大值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

TSP090SB具备多项优异的电气特性和可靠性，适用于多种高要求的功率应用。首先，其低导通电阻Rds(on)确保在导通状态下功耗最小，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该MOSFET具有较高的击穿电压能力（90V），可在高压环境下稳定工作，增强了系统的安全性和稳定性。
　　此外，TSP090SB采用了东芝先进的功率MOSFET制造工艺，具备良好的热稳定性和抗热失效能力。其表面贴装封装设计不仅便于PCB布局和自动化生产，还能有效降低寄生电感，提高高频开关性能。该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高频电源转换器等应用。
　　TSP090SB的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，能够适应极端环境条件，如汽车电子、工业控制和户外设备等应用场景。其封装形式具备良好的散热能力，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，该MOSFET具有良好的短路和过载保护能力，进一步增强了系统的稳定性与安全性。

应用

TSP090SB广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。例如，它可用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电电路、电机驱动器、LED驱动电源、电源管理系统（如笔记本电脑、平板电脑和移动设备）以及工业自动化和控制系统。
　　在消费类电子产品中，TSP090SB可用于高效能的电源适配器和充电器，提高能量转换效率并减少发热；在汽车电子中，它可用于车载电源系统、LED车灯驱动和电池管理系统等；在工业应用中，该器件可作为高可靠性开关元件，用于PLC控制、传感器供电、电机控制等场景。