时间：2025/6/22 11:27:33
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CKC18X123FCGAC7800 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
这款芯片通常被用作 N 沟道增强型场效应晶体管，能够承受较高的漏源电压，并在高频工作条件下保持较低的损耗。此外，它还集成了多种保护功能，例如过流保护和过温保护，从而提高了系统的可靠性和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源极耐压：650V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：90mΩ
栅极电荷：75nC
最大功耗：216W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
CKC18X123FCGAC7800 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，适合高频功率转换电路。
4. 内置多重保护机制，增强了器件的耐用性。
5. 优化的热设计，确保在高功率条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动，用于控制交流或直流电机。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 不间断电源（UPS）和电池管理系统。
5. 各类电力电子设备，例如 LED 驱动器和电磁炉。
6. 高效 DC-DC 转换器设计。
IRFP460N
FDP18N65C3
STP24NS65K5
