型号：MBR10100CL-TQ2-R
　　类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流反向电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IO）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms单半波）
　　正向压降（VF）：0.84V（典型值，@IF=10A, TJ=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA（@VR=100V, TJ=25°C）
　　反向恢复时间（trr）：典型值为0ns（无反向恢复电荷）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-277（DPAK-3）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

MBR10100CL-TQ2-R的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结实现单向导电性，相较于传统的PN结二极管，具备更低的正向导通压降和极快的开关响应速度。在典型工作条件下（TJ=25°C），其正向压降仅为0.84V左右，这意味着在10A负载电流下，单个二极管的导通损耗约为8.4W，显著低于普通整流二极管的1.2V~1.5V压降水平。这一特性使得该器件在大电流、高效率电源系统中尤为重要，有助于减少热量积聚，降低散热设计复杂度。此外，由于肖特基二极管不存在少数载流子存储效应，因此不具备反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而消除了在高频开关过程中因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性和可靠性。
　　该器件采用双共阴极结构，即两个阳极独立、阴极相连的设计，特别适用于中心抽头式全波整流或同步并联整流的应用场景，例如在多相DC-DC变换器中作为输出整流级使用。共阴极配置简化了PCB布线，减少了寄生电感，有利于提高高频性能。同时，TO-277封装提供了优良的热传导路径，底部的散热焊盘可直接连接至PCB上的大面积铜箔或散热层，有效将结温传导至外部环境，确保在高功率密度下仍能维持可靠运行。该封装还支持自动化贴片生产，适用于大规模回流焊工艺，提升了制造效率。
　　MBR10100CL-TQ2-R的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，展现出卓越的环境适应能力，可在高温工业环境或汽车电子等严苛工况下稳定工作。其反向漏电流在高温下虽有所增加，但仍处于可控范围内，设计时需结合散热措施进行综合评估。此外，该器件具备较高的浪涌电流承受能力（150A），能够在瞬态过载或启动冲击条件下保持安全运行，增强了系统的鲁棒性。总体而言，MBR10100CL-TQ2-R凭借其高效、紧凑、可靠的特性，成为现代高频率、高密度电源设计中的理想选择。

该器件广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其是在低压大电流输出的DC-DC转换器中作为次级侧整流元件，如服务器电源、通信设备电源模块、笔记本电脑适配器等。其低正向压降和无反向恢复特性使其在高频PWM控制电路中表现出色，可用于BUCK、BOOST及反激式转换器中的续流二极管，有效提升转换效率并降低温升。在太阳能微逆变器和LED驱动电源中，MBR10100CL-TQ2-R可用于防止反向电流流动，保护主控电路。此外，在电机驱动和H桥电路中，它常被用作箝位或保护二极管，吸收感性负载产生的反电动势。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产和紧凑型电子产品设计，常见于工业控制、消费电子、网络设备及车载信息娱乐系统等领域。

MBR10100CT-G
　　SR10U100-TP
　　STPS10L100CT
　　VS-10SQ100-M3
　　FDL10H100