时间：2025/9/14 16:21:20
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BUK6D210-60EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET晶体管，采用先进的TrenchMOS技术，适用于高效率功率转换应用。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，非常适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
功耗（Ptot）：160W
导通电阻（Rds(on)）：最大2.1mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK6D210-60EX具备多项优异特性，包括极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的TrenchMOS工艺，提供更高的功率密度和更小的芯片尺寸，从而实现更高的集成度。其TO-263封装形式具备良好的热性能，便于散热，适合在高功率密度设计中使用。
此外，BUK6D210-60EX具有较强的电流承载能力和良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。其栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，有助于提升整体能效。该器件还具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，支持使用标准逻辑电平驱动器进行控制，增强了设计的灵活性。同时，其快速开关特性使其适用于高频开关电源应用，如同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。
BUK6D210-60EX广泛应用于各类功率电子设备中，如服务器电源、电信电源系统、电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和功率放大器等。由于其高效率和高可靠性，也常用于汽车电子系统中的功率管理模块，例如电动助力转向系统、车载充电器和车身控制模块等。
此外，该器件还可用于工业自动化设备中的功率控制单元，如变频器、伺服驱动器和工业电源模块。在新能源领域，BUK6D210-60EX也常见于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块中，为高效率能量转换提供可靠支持。
IPB082N06N3 G、STP80NF06、FDP80N06S、SiR178DP
