时间：2025/9/7 11:44:10
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MBN1600EB17D是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET模块，广泛应用于工业电源、电机驱动和电力电子设备中。该模块属于绝缘栅双极晶体管（IGBT）与MOSFET集成的混合模块，能够提供高效率和稳定的功率输出。MBN1600EB17D的设计旨在满足高功率密度、高可靠性和低损耗的需求，适用于变频器、逆变器以及不间断电源（UPS）等场合。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：1600A
最大漏源电压（VDS）：1700V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.75mΩ
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装形式：双列直插式（PIM）
内置二极管：有
最大功耗：约180W
短路耐受能力：支持
热阻（Rth）：约0.085°C/W
MBN1600EB17D具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率应用场景。其最大漏极电流可达1600A，最大漏源电压为1700V，能够承受高电压和大电流的冲击。模块的导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值为1.75mΩ，这使得在高负载条件下功率损耗显著降低，提高了整体效率。
该模块的工作温度范围宽广，从-40°C到+150°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。此外，模块采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，热阻（Rth）约为0.085°C/W，有效降低了工作时的温升，延长了器件的使用寿命。
MBN1600EB17D还具备短路耐受能力，能够在短时间内承受过载和短路情况下的高电流，从而增强了系统的可靠性和安全性。内置的快速恢复二极管也进一步提升了模块的性能，使其在高频开关应用中表现出色。
该模块的封装形式为双列直插式（PIM），便于安装和维护，适用于各种工业设备的紧凑型设计。同时，模块的设计符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，符合现代电子产品的环保要求。
MBN1600EB17D主要应用于需要高功率输出和高效能转换的工业领域。其典型应用包括变频器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、电机驱动器以及太阳能逆变器等。在这些应用中，MBN1600EB17D能够提供稳定可靠的功率输出，同时降低能耗和热量产生，提高系统的整体效率和稳定性。
MBN1600EB17D的替代型号包括：MBN1600EB17E、MBN1200EB17D、MBN1600EC170
