N007 时间：2025/8/22 3:29:37 阅读：5

N007 是一款常用的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制及负载开关等场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于中高功率的电子系统设计。N007 通常采用 TO-220 或 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 VDS：60V
　　栅源电压 VGS：±20V
　　连续漏极电流 ID：11A（Tc=25℃）
　　导通电阻 RDS(on)：≤75mΩ（VGS=10V）
　　功耗 PD：62.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）

特性

N007 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（60V）使其适用于多种中低压功率转换应用。该器件具有良好的热稳定性与高功率耗散能力，能够在较高温度环境下稳定工作。N007 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 驱动电压，兼容多种驱动电路设计。此外，其封装形式便于焊接与散热管理，适用于工业级与消费类电源设计。
　　N007 的结构设计优化了开关性能，降低了开关损耗，并具有较强的抗冲击能力。它在高频开关应用中表现出色，适用于同步整流、DC-DC 变换器、负载开关和电机控制等场景。该器件还具备一定的抗静电能力，符合工业标准，提升了使用过程中的可靠性。