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MBM81F161622B-80FN-C 发布时间 时间:2025/9/22 11:23:25 查看 阅读:16

MBM81F161622B-80FN-C是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的16Mb(1024K x 16位)低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM),采用同步架构设计,支持高速数据传输。该器件工作电压为3.3V,具备灵活的电源管理功能,适用于需要高性能和低功耗特性的嵌入式系统和通信设备。MBM81F161622B-80FN-C采用标准的64引脚FBGA封装,引脚兼容行业主流同步SRAM产品,便于系统升级和替换。该芯片通过了工业级温度范围验证,可在-40°C至+85°C的宽温环境下稳定运行,适合在恶劣工业环境或户外设备中使用。其内部结构组织为1M地址深度、16位数据宽度,能够满足对实时性要求较高的应用场景需求,如网络交换机、路由器缓存、数字视频处理系统等。该器件符合RoHS环保标准,无铅工艺制造,支持绿色环保设计理念。

参数

容量:16Mb
  组织结构:1024K x 16
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:80ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:64-pin FBGA
  接口类型:同步CMOS SRAM
  数据总线宽度:16位
  供电电流(最大):典型值40mA(待机时<5μA)
  时钟频率:最高支持约125MHz
  控制信号:CLK, /CE, /OE, /WE, /LB, /UB
  封装尺寸:8mm x 14mm x 1.0mm
  输入/输出电平:LVTTL兼容

特性

MBM81F161622B-80FN-C具备多项先进特性以满足高性能嵌入式系统的严苛要求。其同步架构允许所有操作与时钟信号对齐,从而实现精确的数据捕获和稳定的系统时序控制。该芯片支持流水线突发访问模式,可显著提升连续数据读写效率,在突发传输中能实现接近峰值带宽的数据吞吐能力。其低功耗设计体现在多种节能机制上,包括自动进入低功耗待机模式当片选信号无效时,以及深度掉电模式用于进一步降低静态功耗,非常适合电池供电或热敏感应用环境。
  该器件具有优异的噪声抑制能力和信号完整性表现,得益于优化的内部布局与差分时钟输入结构(尽管本型号为单端时钟),有效减少电磁干扰并提高系统可靠性。双字节掩码功能(/LB和/UB)允许独立控制高低字节的数据写入操作,增强了数据处理灵活性,尤其适用于处理器与外设间不同数据宽度匹配的应用场景。此外,该SRAM具备高抗干扰性和长期稳定性,经过严格的老化测试和可靠性验证,确保在长时间运行中不会出现数据丢失或性能下降问题。
  MBM81F161622B-80FN-C还具备良好的系统集成兼容性,支持与多种主流微处理器、DSP和FPGA无缝对接,无需额外电平转换或缓冲电路。其64引脚FBGA封装不仅节省PCB空间,而且具有优良的散热性能和电气性能,适应高密度贴装需求。整体设计兼顾速度、功耗、可靠性和易用性,是工业自动化、电信基础设施和高端消费电子中理想的数据缓存解决方案。

应用

该芯片广泛应用于需要高速、低延迟数据存储的场合。典型应用包括宽带通信设备如千兆以太网交换机、路由器和DSLAM中的帧缓存;工业控制领域中的PLC控制器、运动控制卡和HMI人机界面设备;数字视频系统如摄像机、视频采集卡和显示控制器中的图像缓冲区;测试与测量仪器中用于临时数据采集和处理;医疗成像设备中的实时信号暂存;以及航空航天和国防系统中的嵌入式计算模块。
  由于其同步接口特性,特别适合连接带有同步存储器控制器的DSP或ASIC芯片,常用于需要确定性响应时间的实时系统。在多媒体终端设备中,可用于音频流缓冲、图形渲染中间数据存储等任务。同时,因其宽温工作能力和高可靠性,也被用于车载信息娱乐系统、轨道交通控制系统和户外基站设备等严苛环境中。该器件还可作为微处理器的外部高速缓存扩展,提升整体系统性能而不牺牲稳定性。

替代型号

CY7C1365KV18-80BAXI

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