时间：2025/4/27 17:47:00
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UBQ10A05L04 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、负载开关和 DC-DC 转换等电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于多种消费电子和工业应用。
UBQ10A05L04 的封装形式为超薄小外形晶体管（SOT）封装，能够提供优异的散热性能并节省印刷电路板空间。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：9nC
开关时间（典型值）：ton=7ns, toff=16ns
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
UBQ10A05L04 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小尺寸封装，非常适合空间受限的设计。
5. 支持高电流操作，满足现代电子设备对功率的需求。
6. 热稳定性好，能够在宽温度范围内可靠工作。
UBQ10A05L04 主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流和降压转换。
2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
3. LED 驱动器和固态照明系统。
4. 电池保护和管理系统。
5. 工业控制中的信号调节与驱动电路。
6. 数据通信设备中的电源管理模块。
AO3400A
IRLML6401
SI2302DS
FDMQ8205
