制造商：Fujitsu (现由 Spansion 接管)
　　系列：MBM29LV800T/E
　　存储容量：8 Mbit
　　存储结构：512K x 16 位 / 1024K x 8 位
　　电源电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP-I (Type I)
　　接口类型：并行（x16/x8 可配置）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　数据保持时间：典型 20 年
　　JEDEC 标准：支持 CFI (Common Flash Interface)
　　写保护功能：软件/硬件写保护
　　可靠性：擦写次数 ≥ 100,000 次

MBM29LV800TE-90PFTN 采用了富士通先进的 MirrorBit 闪存技术，这种技术通过在每个存储单元中存储两个独立的比特信息，显著提高了存储密度并降低了制造成本。该技术的核心优势在于其独特的双存储点结构，利用氮化物层捕获电荷的位置差异来区分两个数据状态，从而实现单个物理单元存储两位数据的能力。这不仅提升了芯片的空间利用率，还增强了数据的长期稳定性。MirrorBit 架构相比传统浮栅技术具有更低的编程电压需求和更高的抗干扰能力，使得器件在低功耗运行的同时仍能保持出色的耐用性和数据完整性。
　　该芯片支持全电压范围内的读写操作，仅需单一 3.0V 至 3.6V 电源即可完成所有功能，无需额外的高压编程电源，极大简化了系统电源设计。其内置电荷泵电路能够自动生成编程和擦除所需的高电压，进一步降低外部电路复杂度。此外，器件提供多种省电模式，包括自动待机模式和深度掉电模式，在待机状态下电流消耗可低至数微安级别，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。
　　在数据保护方面，MBM29LV800TE-90PFTN 集成了多重保护机制。除了标准的 VPP 写保护引脚外，还支持基于软件命令流的数据锁定功能，用户可通过发送特定指令序列来禁止对特定扇区进行修改。这一机制有效防止了由于 CPU 异常复位、程序跑飞或意外断电引起的非法写入操作，确保关键固件的安全性。同时，芯片支持 CFI（通用闪存接口）标准，允许主机系统在运行时动态读取设备参数，如厂商 ID、设备 ID、电气特性、定时参数及结构布局等，极大增强了系统的灵活性和兼容性。
　　该器件具备优异的环境适应能力，工作温度范围覆盖 -40°C 到 +85°C，符合工业级应用标准。其 90ns 的访问时间足以满足大多数中速嵌入式系统的性能需求，尤其适用于 BIOS 存储、启动代码存放、配置参数保存等场合。48 脚 TSOP-I 封装符合 JEDEC 标准，便于自动化贴片生产，并与同类封装产品保持良好的互换性。

MBM29LV800TE-90PFTN 主要用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括路由器、交换机、DSL 调制解调器等网络通信设备中的固件存储，因其具备高可靠性与抗干扰能力，能够在长时间连续运行环境下稳定工作。在工业控制系统中，该芯片常被用于存储 PLC 程序代码、HMI 面板菜单数据或设备校准参数，其宽温特性和抗恶劣环境能力确保了在工厂现场的长期稳定性。
　　在消费类电子产品领域，该器件广泛应用于机顶盒、打印机、数码相机、POS 终端等设备中，用于存放启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像或用户设置信息。由于支持快速擦除和字节级编程，适合频繁更新配置数据的场景。此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）或仪表盘控制模块，该芯片也被用作辅助存储介质，用于记录故障码、驾驶习惯或个性化设置。
　　该芯片还可作为微控制器外部扩展程序存储器使用，特别是在 ARM7、ARM9 或其他 16/32 位处理器架构中，配合外部总线接口实现大容量代码存储。其并行接口提供较高的数据吞吐率，相较于串行闪存更适合对启动速度有要求的应用。另外，由于其具备 JEDEC CFI 支持，可在不同厂商之间实现软件兼容，有利于产品升级和供应链管理。

S29GL008T-90DHI-N1
　　AM29LV800T-90SI
　　SST39VF800A-90-4C-PHE