HY57V281620AT-P 时间：2025/9/2 7:33:59 阅读：6

HY57V281620AT-P 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，具有较高的数据存取速度和稳定性，广泛应用于计算机、工业设备、嵌入式系统等领域。HY57V281620AT-P 采用TSOP封装，适用于需要较高性能存储解决方案的场合。

参数

类型：DRAM
　　容量：16Mbit
　　数据宽度：16位
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　时钟频率：100MHz
　　存储器组织：1M x 16
　　数据保持电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

HY57V281620AT-P 是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM），其设计采用了现代（Hyundai）先进的CMOS技术，具备较高的数据传输速率和稳定性。该芯片的容量为16Mbit，组织形式为1M x 16，支持16位数据宽度，适用于需要高速内存访问的系统。其同步接口支持100MHz的时钟频率，能够在每个时钟周期内完成一次数据传输，从而实现高效的内存操作。
　　该芯片的工作电压为3.3V，并支持2.3V至3.6V的数据保持电压，确保在不同电源条件下数据的安全性。此外，HY57V281620AT-P 采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在工业级温度范围（-40°C至+85°C）下运行。这种封装形式也有助于减小PCB板的空间占用，提高系统的集成度。
　　作为一款标准SDRAM芯片，HY57V281620AT-P 具备低功耗模式，能够在系统空闲时自动进入节能状态，从而延长设备的使用时间并降低整体功耗。此外，该芯片还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够有效防止数据丢失，确保长期运行的可靠性。

应用

HY57V281620AT-P 广泛应用于需要高速数据存储和访问的电子设备中。常见的应用包括个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、视频处理设备以及网络设备等。由于其高容量、高速度和良好的稳定性，该芯片也常用于图像处理、数据缓冲和高速缓存等场景。例如，在嵌入式系统中，它可以作为主存储器用于运行操作系统和应用程序；在工业控制设备中，可用于存储运行时的数据和配置信息；在通信设备中，则可以用于数据缓冲和临时存储。
　　此外，HY57V281620AT-P 还适用于需要高可靠性和宽工作温度范围的工业和汽车电子应用。其TSOP封装形式和宽温度适应能力使其能够在较为恶劣的环境中稳定运行，满足工业自动化、车载系统、安防设备等多种复杂应用的需求。