SK4410ATF是一款由Samsung(三星)公司制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了较低的导通电阻和优异的开关性能。SK4410ATF特别适用于需要高效率和小尺寸封装的电源系统,例如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):4.5A
漏源击穿电压(VDS):30V
栅源击穿电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值26mΩ(在VGS=10V时)
栅极电荷(Qg):18nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
SK4410ATF采用了先进的沟槽式MOSFET技术,这使得它具有较低的导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,该器件的开关速度快,有助于降低开关损耗,提高电源系统的响应能力。SK4410ATF具有较高的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于高温环境下的应用。其TO-252封装不仅提供了良好的散热性能,还使得器件易于安装和集成到PCB板上。此外,该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常在4.5V至20V之间,这意味着它可以与多种类型的驱动电路兼容,包括低压控制器。在实际应用中,SK4410ATF能够在低VGS电压下保持较低的RDS(on),从而在轻载条件下也能保持较高的效率。
SK4410ATF广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中,例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电源适配器等。由于其高效率和小尺寸特性,该器件也常用于便携式电子设备和汽车电子系统中的电源管理模块。在工业自动化和控制系统中,SK4410ATF可用于电机驱动和继电器控制电路。此外,该MOSFET还适用于需要快速开关和高可靠性的通信设备和服务器电源系统。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, FDS4410AS