时间：2025/9/23 14:43:40
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MBM29LV800BA-90PFTN 是一款由富士通（Fujitsu）推出的8 Mbit（兆位）CMOS 3V闪存芯片，属于其MBM29LV系列的NOR型闪存产品。该器件提供8 Mbit的存储容量，组织为1,048,576字节（即1MB），采用标准的x8/x16位数据接口，支持多种封装形式，其中PFTN通常代表48引脚TSOP（薄小外形封装）。这款芯片设计用于嵌入式系统中需要可靠、非易失性代码和数据存储的应用场景。MBM29LV800BA支持单电源供电操作，在读取和写入/擦除操作期间仅需3.0至3.6V的电压，无需额外的编程电压（Vpp），从而简化了系统电源设计。该芯片内置先进的命令集架构，可通过标准的写入命令序列实现字节、字或块的编程以及扇区或整片擦除操作。此外，它具备硬件写保护功能，在上电和断电过程中自动启用，有效防止由于电源波动导致的误写入或误擦除，提高了系统的可靠性。该器件还集成了Toggles和Data# Polling等轮询机制，用于检测内部编程和擦除操作的完成状态，确保系统能够高效管理闪存操作时序。作为一款成熟的工业级闪存产品，MBM29LV800BA-90PFTN广泛应用于网络设备、工业控制、消费电子和通信终端等领域。
制造商：Fujitsu
系列：MBM29LV
存储类型：NOR Flash
存储容量：8 Mbit
存储结构：1M x 8 / 512K x 16
电源电压：3.0V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装/外壳：48-TSOP
访问时间：90ns
接口类型：并行
写保护功能：硬件写保护（WP#）
编程电压：单电源3V
擦除方式：扇区擦除、整片擦除
数据保持时间：100年
擦写次数：100,000次
MBM29LV800BA-90PFTN 具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。
首先，该芯片采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了功耗，特别适用于对功耗敏感的应用环境。其低待机电流（典型值小于20μA）和主动读取电流（约15mA）有助于延长电池寿命并减少热损耗。在性能方面，90ns的快速访问时间确保了高效的指令执行速度，使得微控制器可以直接从闪存中执行代码（XIP，eXecute In Place），避免了将程序加载到RAM中的额外步骤，从而节省系统资源并提升响应速度。
其次，该器件支持灵活的扇区架构，存储空间被划分为多个可独立擦除的扇区，包括多个4KB的小扇区和一个32KB的主扇区，这种设计允许用户进行精细的数据管理，例如将引导代码存储在受保护的小扇区内，而将应用数据或固件更新区域分配在大扇区中，实现安全与灵活性的平衡。
再者，芯片内置了强大的写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护（通过WP#引脚）。当WP#引脚被拉低时，可以锁定特定的扇区或整个芯片，防止意外修改，这在系统启动或调试过程中尤为重要。此外，其命令集兼容JEDEC标准，便于开发人员使用通用的编程器和调试工具进行烧录和测试。
最后，MBM29LV800BA具备高耐久性和数据保持能力，支持高达10万次的擦写周期，并保证数据在断电后可保存长达100年，满足工业级和长期运行设备的严苛要求。
MBM29LV800BA-90PFTN 广泛应用于需要高可靠性、中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。
在通信设备领域，它常用于路由器、交换机和调制解调器中存储固件、配置参数和引导程序，其快速读取能力和XIP支持确保设备能够迅速启动并稳定运行。
在工业控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块，存储控制逻辑、校准数据和运行日志，其宽温工作范围（-40°C至+85°C）适应恶劣的工业环境。
消费类电子产品如机顶盒、打印机、数码相机和智能家居网关也采用该器件来保存操作系统和用户设置，其低功耗和高稳定性提升了用户体验。
此外，在汽车电子领域，尽管该型号并非专为AEC-Q100认证设计，但在部分车载信息娱乐系统或辅助控制单元中仍有应用，尤其是在成本和供货稳定性优先于车规认证的项目中。
医疗设备中，用于存储设备固件和校准信息，确保设备在断电后仍能准确运行。
由于其并行接口和成熟的技术生态，该芯片也常被用于开发板、评估套件和旧有系统升级项目中，作为可靠的代码存储介质。
S29GL064N90TFIR4
AM29LV800BB-90SUW
EN29LV800AB-90TIP
