时间：2025/9/4 18:34:55
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GT17HNF-4DS-2C(B) 是一款由东芝（Toshiba）推出的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，适用于高功率应用。该模块设计用于工业电机驱动、逆变器系统、电动汽车充电设备以及其他需要高可靠性和高效率的电力电子系统。
集电极-发射极电压(Vce)：1700V
集电极电流(Ic)：75A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：6μs @ Vce=1700V
封装类型：双列直插式封装（Dual Switch）
栅极驱动电压范围：-15V 至 +20V
GT17HNF-4DS-2C(B) 模块采用了东芝先进的IGBT技术，具备优异的导通和开关损耗平衡，从而提高了整体效率。该模块具有高短路耐受能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
此外，模块内部集成了二极管，减少了外部元件的需求，提高了系统的紧凑性。其优化的热设计确保了良好的散热性能，延长了模块的使用寿命。
该模块还具备良好的抗干扰能力，能够有效应对高频开关带来的电磁干扰问题，从而提高系统的稳定性。模块的封装结构也经过优化设计，确保了良好的机械强度和电气绝缘性能。
GT17HNF-4DS-2C(B) 主要应用于工业电机驱动、光伏逆变器、电动汽车充电桩、UPS不间断电源以及各种高功率密度的电力电子系统中。其高可靠性和优异的电气性能使其成为这些要求苛刻的工业和能源应用中的理想选择。
Toshiba GT17HNF-4DS-2C, Fuji Electric 7MBR75XG170-50, Infineon FS75R17W1H02_B31
