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MBM29LV160BE70TN 发布时间 时间:2025/8/8 18:41:39 查看 阅读:26

MBM29LV160BE70TN是一款由富士通(Fujitsu)生产的16兆位(Mbit)闪存芯片,属于Parallel NOR Flash存储器类别。这款芯片主要用于需要非易失性存储的应用,例如嵌入式系统、工业控制设备和网络设备。MBM29LV160BE70TN采用56引脚TSOP封装,提供高性能和高可靠性,适合需要频繁更新和存储数据的应用场景。

参数

容量:16 Mbit
  电压范围:2.6V至3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:56
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  读取电流:10mA(典型值)
  待机电流:10μA(最大值)
  数据保持时间:10年
  擦除/编程周期:10万次

特性

MBM29LV160BE70TN具有多项显著的性能和功能特点。首先,它支持低电压操作,电压范围为2.6V至3.6V,这使得它适用于多种电源条件下的应用,同时降低了功耗。其次,该芯片的访问时间为70ns,提供快速的数据读取能力,适合高性能系统的需求。
  MBM29LV160BE70TN采用56引脚TSOP封装,这种封装形式具有较小的尺寸和良好的散热性能,适合高密度电路板设计。此外,该芯片支持工业级的工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下仍能稳定运行。
  该闪存芯片具备10年数据保持能力,即使在断电情况下也能确保数据长期存储。它的擦除和编程周期高达10万次,具有较长的使用寿命。此外,MBM29LV160BE70TN的待机电流仅为10μA,极大地降低了在非活动状态下的功耗,非常适合电池供电设备使用。

应用

MBM29LV160BE70TN广泛应用于需要非易失性存储和频繁数据更新的领域。例如,它可以用于嵌入式系统中的程序存储和数据记录。此外,它还适用于工业控制设备、网络设备、通信设备以及消费类电子产品。由于其高性能和低功耗的特点,该芯片特别适合需要长时间运行且对可靠性要求较高的应用场景。

替代型号

AM29LV160DB-70SAE, MX29LV160EBTC-70G

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