时间：2025/8/8 18:41:39
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MBM29LV160BE70TN是一款由富士通（Fujitsu）生产的16兆位（Mbit）闪存芯片，属于Parallel NOR Flash存储器类别。这款芯片主要用于需要非易失性存储的应用，例如嵌入式系统、工业控制设备和网络设备。MBM29LV160BE70TN采用56引脚TSOP封装，提供高性能和高可靠性，适合需要频繁更新和存储数据的应用场景。
容量：16 Mbit
电压范围：2.6V至3.6V
访问时间：70ns
封装类型：TSOP
引脚数：56
工作温度范围：-40°C至+85°C
读取电流：10mA（典型值）
待机电流：10μA（最大值）
数据保持时间：10年
擦除/编程周期：10万次
MBM29LV160BE70TN具有多项显著的性能和功能特点。首先，它支持低电压操作，电压范围为2.6V至3.6V，这使得它适用于多种电源条件下的应用，同时降低了功耗。其次，该芯片的访问时间为70ns，提供快速的数据读取能力，适合高性能系统的需求。
MBM29LV160BE70TN采用56引脚TSOP封装，这种封装形式具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合高密度电路板设计。此外，该芯片支持工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C），确保在严苛环境下仍能稳定运行。
该闪存芯片具备10年数据保持能力，即使在断电情况下也能确保数据长期存储。它的擦除和编程周期高达10万次，具有较长的使用寿命。此外，MBM29LV160BE70TN的待机电流仅为10μA，极大地降低了在非活动状态下的功耗，非常适合电池供电设备使用。
MBM29LV160BE70TN广泛应用于需要非易失性存储和频繁数据更新的领域。例如，它可以用于嵌入式系统中的程序存储和数据记录。此外，它还适用于工业控制设备、网络设备、通信设备以及消费类电子产品。由于其高性能和低功耗的特点，该芯片特别适合需要长时间运行且对可靠性要求较高的应用场景。
AM29LV160DB-70SAE, MX29LV160EBTC-70G
