时间：2025/7/17 18:33:16
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MTE018N10RV8 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于如 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关等高性能电源系统。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：18A @ 温度25℃
导通电阻(Rds(on))：7.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
MTE018N10RV8 的主要特点之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低传导损耗并提高整体系统的能效。在高温环境下，它仍然能够稳定运行，因为具备高达 175°C 的最大工作温度。此外，这款 MOSFET 还具有较高的电流承受能力，在连续漏极电流方面表现优异，可支持高达 18A 的电流。
其封装形式 PowerFLAT 5x6 提供了良好的热管理和空间节省设计，非常适合紧凑型电子设备中的应用。由于其优异的电气特性和可靠性，MTE018N10RV8 在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中得到了广泛使用。
该功率 MOSFET 主要应用于需要高效能量转换和管理的电路中，例如服务器电源供应器、电信基础设施设备、电机驱动控制器、电池管理系统以及电动汽车充电模块。同时，它也适合用于同步整流电路以替代传统二极管，从而进一步提升电源系统的效率与性能。此外，MTE018N10RV8 可作为负载开关或热插拔电路的一部分，为敏感电路提供过载保护。
IPD18N10N G OPTO, FDP18N10NVRL
